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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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SEMIKON 賽米控 IGBT/MOSFET模塊 SEMiX603GB12E4p

訂 貨 號(hào)：SEMiX603GB12E4p      品牌：賽米控_Semikron

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

品牌商價(jià)：￥4323.19

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Semikron SEMiX603GB12E4p IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SEMiX? 雙 IGBT 模塊

Semikron 的雙 IGBT 模塊采用現(xiàn)代薄型 SEMiX? 封裝，適用于半橋電源控制應(yīng)用。 該模塊使用無(wú)焊接彈簧或壓配安裝觸點(diǎn)，允許柵極驅(qū)動(dòng)器直接安裝在模塊頂部，可節(jié)省空間，且可提供更大的連接可靠性。 典型應(yīng)用包括交流反相器驅(qū)動(dòng)器、UPS、電子焊接和可再生能源系統(tǒng)。
有關(guān)合適的壓配柵極驅(qū)動(dòng)器模塊，請(qǐng)參見(jiàn) 122-0385 至 122-0387

? 薄型無(wú)焊接安裝封裝
? Trenchgate 技術(shù) IGBT
? VCE(sat) 具有正溫度系數(shù)
? 高短路電流能力
? 壓配引腳可用作輔助觸點(diǎn)
? UL 認(rèn)證

IGBT 模塊，Semikron

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 1.1 kA
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 20V
配置 串行
封裝類(lèi)型 SEMiX?3p
安裝類(lèi)型 通孔
通道類(lèi)型 N
引腳數(shù)目 11
晶體管配置 串行
尺寸 150 x 62.4 x 17mm
暫無(wú)

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