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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi 2N7000-D26Z MOSFET

訂 貨 號(hào)：2N7000-D26Z      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi 2N7000-D26Z MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

這些 N 通道小型信號(hào) MOSFET 采用 ON Semiconductor 專有的高單元密度 DMOS 技術(shù)。這些產(chǎn)品旨在最大限度地降低電阻，同時(shí)提供堅(jiān)固、可靠和快速的交換性能。它們可用于大多數(shù)需要高達(dá) 400mA 直流電的應(yīng)用中，并可提供高達(dá) 2A 的脈沖電流這些產(chǎn)品特別適合低壓低電流應(yīng)用。

電壓控制小信號(hào)開關(guān)
高飽和度電流能力
堅(jiān)固且可靠
低 RDS 的高密度單元格設(shè)計(jì)（開）
應(yīng)用
小型伺服馬達(dá)控制
功率 MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)器
分類切換應(yīng)用


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 200 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-92
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 9 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3V
最小柵閾值電壓 0.8V
最大功率耗散 400 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
長(zhǎng)度 5.2mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
寬度 4.19mm
暫無

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