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產(chǎn)品分類
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Wolfspeed C3M0075120J MOSFET

訂 貨 號：C3M0075120J      品牌：Wolfspeed

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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Wolfspeed C3M0075120J MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Wolfspeed 在 SiC 技術(shù)方面的領(lǐng)先地位得到了擴(kuò)展、在新的低電感離散封裝中引入了 Advanced SiC MOSFET 技術(shù)。新推出的封裝使工程師能夠充分利用最新 C3MTM 平面 MOSFET 芯片的高頻功能。設(shè)計人員可以通過從基于硅的三層拓?fù)滢D(zhuǎn)變?yōu)楦唵蔚膬蓪油負(fù)鋪頊p少組件數(shù)量、這是由于交換性能的提高而得以實現(xiàn)的。此設(shè)備具有低接通電阻和低柵極電荷、非常適合三相、無橋接 PFC 拓?fù)湟约敖涣?- 交流轉(zhuǎn)換器和充電器。

在整個工作溫度范圍內(nèi)、最小值為 1200V VBR
新低阻抗封裝，帶驅(qū)動器源
>漏極和離子源之間有 7 毫米的滲漏 / 間隙
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，具有低 RDS（接通）
快速固有二極管，具有低反向恢復(fù)（反向恢復(fù)電荷）
易于并行且易于驅(qū)動


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 7
最大漏源電阻值 75 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.6V
最小柵閾值電壓 1.8V
最大功率耗散 113.6 瓦
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -8 V 、 19 V
晶體管材料 SiC
長度 10.23mm
典型柵極電荷@Vgs 48 常閉 @ 4/15V
寬度 9.12mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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