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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NXH450B100H4Q2F2SG IGBT

訂 貨 號：NXH450B100H4Q2F2SG      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

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公司基本資料信息







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onsemi NXH450B100H4Q2F2SG IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

ON Semiconductor Q2BOOST 模塊是 Si 或 SiC 混合三通道對稱升壓模塊。每個通道包含兩個 1000 V ， 150 A IGBT ，兩個 1200 V ， 30 A SiC 二極管和兩個 1600 V ， 30 A 旁路二極管。該模塊包含一個 NTC 熱敏電阻。

硅或 SiC 混合技術(shù)可最大程度提高功率密度
低切換損耗可減少系統(tǒng)功耗
低電感布局
壓配和焊接引腳選項(xiàng)
此設(shè)備無鉛，無鹵，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 101 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1000 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
晶體管數(shù) 2
最大功率耗散 79 W
封裝類型 Q2BOOST - 箱 180BR (無鉛和無鹵化物焊接引腳)
暫無

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