很難想象TDD模式下Rx對(duì)Tx造成了嚴(yán)重影響，若不是親眼所見，我也是完全不相信的，按道理說(shuō)這種事情只能發(fā)生在FDD模式下。近期在為朋友解決一款5.8GHz大功率無(wú)線網(wǎng)橋的射頻問題時(shí)，發(fā)現(xiàn)Chain0的部分信道EVM很差，不開全包的情況下，MCS7只能測(cè)到-26~-27dB，即使開了全包，也只是勉強(qiáng)達(dá)到-29dB，僅能通過(guò)產(chǎn)測(cè)，但余量實(shí)在太小，無(wú)法保證產(chǎn)測(cè)直通率，這顯然是不行的。

首先詢問朋友板卡樣品階段是否存在這樣的問題，朋友的回答與我的猜想一致，不存在。秉著認(rèn)真負(fù)責(zé)的態(tài)度，對(duì)朋友的原理圖及PCB進(jìn)行仔細(xì)分析，沒看出什么致命的問題（朋友的射頻工程師也是經(jīng)驗(yàn)十分豐富的那種，比我的工作時(shí)間還要長(zhǎng)）。好吧，沒什么可以進(jìn)一步可以分析的，開始測(cè)板子。

• 使用ART2軟件，并配合Liepoint IQview對(duì)Chain0各頻段的MCS7速率進(jìn)行測(cè)試，果然如朋友所述，部分信道EVM極差。開始嘗試使用筆者提出的分段測(cè)試法（這肯定不是筆者首先使用的，但貌似沒有人這樣稱呼）。
• 測(cè)試WiFi收發(fā)器的輸出端：發(fā)現(xiàn)低頻段輸出功率為-8dBm時(shí)，EVM可以達(dá)到-32~-33dB（未開全包），加上PA的32dB增益，完全可以實(shí)現(xiàn)20dBm的天線口輸出功率，并具有合格的EVM，可以排除WiFi收發(fā)器芯片的原理及PCB設(shè)計(jì)問題，那么就只剩下PA與RF Switch了。
• 測(cè)試PA的輸出端：發(fā)現(xiàn)和預(yù)期的一致，輸出功率22dBm時(shí)，EVM可以達(dá)到-30~-31dB（未開全包），完全能夠滿足要求。這樣又排除了PA的問題，只剩下RF Switch了。
• 仔細(xì)核對(duì)RF Switch的原理圖及器件的Marking Code，發(fā)現(xiàn)所用RF Switch的規(guī)格完全符合要求，且PCB也完全正確。但是當(dāng)把饋線連接在天線口處，測(cè)到的EVM完全是另外一種狀態(tài)，真是讓人費(fèi)解。

思考了很久，也沒有想清楚還有什么可能的原因會(huì)造成這種情況。無(wú)奈之下，開始動(dòng)用觸摸大法（同樣地，這也不是筆者首先使用的，但貌似沒有人這樣稱呼）。所謂的觸摸大法就是用手指觸摸板卡上的走線與器件，看看能否對(duì)射頻指標(biāo)造成影響，例如，用手指觸摸WiFi收發(fā)器芯片的輸出，一定會(huì)造成天線口輸出功率的下降。用手指隨意觸碰Chain0的射頻電路，突然發(fā)現(xiàn)手指位于某區(qū)域時(shí)會(huì)提升EVM！逐漸縮小觸摸范圍，發(fā)現(xiàn)當(dāng)手指按在LNA上會(huì)得到非常好的EVM。

經(jīng)過(guò)朋友允許，在此給出PCB的部分射頻走線。

發(fā)現(xiàn)問題所在的位置之后，就是想辦法解決問題。

斷開RF Switch與Rx電路之間的隔直電容，發(fā)現(xiàn)與此前用手指觸摸的結(jié)果類似，更加確認(rèn)是Rx電路對(duì)Tx EVM造成了影響。根據(jù)已有經(jīng)驗(yàn)推測(cè)，應(yīng)該是RF Switch隔離度不夠，使得大功率Tx信號(hào)中的一部分泄露至LNA，并透過(guò)LNA經(jīng)由空間耦合至PA輸入端，使得PA最終的輸出信號(hào)錯(cuò)亂，EVM變差。為了驗(yàn)證這個(gè)想法，使用一顆49.9ohm的電阻接在LNA的輸出端與GND之間，再次測(cè)試，EVM非常好。

最后給朋友的解決方案是：Rx路徑上再增加一顆RF Switch，增大Tx/Rx隔離度。朋友進(jìn)行原理圖，PCB設(shè)計(jì)變更并重新進(jìn)行小批量試產(chǎn)，問題徹底解決，全包情況下，EVM可以達(dá)到-34~-35dB，完全滿足生產(chǎn)要求。

原理框圖（2015年12月7日）